原創Intel 14A缺陷密度快速降低,創22nm以來最佳!

8月31日訊息,英特爾首席財務官辛斯納(David Zinsner)近日在德意志銀行2026科技大會上宣佈,其下一代14A製程的缺陷密度下降速度創下22nm以來的最佳表現,外部客戶態度已從技術評估轉向產能問詢快速。這一進展表明,英特爾在先進製程領域追趕臺積電的步伐正顯著提速。

辛斯納在大會上表示,Intel 14A製程目前的缺陷密度不僅優於公司設定的目標曲線,其下降速度也超過此前多個製程節點快速。他特別以22nm作為參照指出,“自22nm以來,我們沒有見過這樣的表現。”22nm是英特爾首個匯入FinFET架構的節點,2012年應用於Ivy Bridge處理器,被公認為公司歷史上最成功的製程之一。

需要指出的是,辛斯納的比較聚焦於14A開發階段的缺陷下降軌跡,而非兩代工藝最終缺陷密度或量產良率的直接對比快速。22nm在約2010年同期階段也曾經歷良率爬坡困難——有內部員工透露首批Ivy Bridge晶片良率一度為零。在此背景下,14A在技術複雜度遠超前代的情況下仍能實現快速壓降缺陷密度,更具指標意義。

根據此前資料顯示,Intel 14A的技術規格較18A實現全面躍升,採用第二代RibbonFET環繞閘極電晶體、新一代PowerDirect背面供電技術,並規劃匯入High-NA EUV光刻裝置快速。根據英特爾技術藍圖,14A在相同功耗下效能預計提升15%至20%,或在相同效能下降低25%至35%功耗,晶片密度最高增加30%。

原創Intel 14A缺陷密度快速降低,創22nm以來最佳!

最令英特爾振奮的訊號來自於客戶端的認可快速。辛斯納透露,英特爾內部晶片設計團隊已開始基於14A開發產品。他還將內部客戶形容為“所有人裡最挑剔的一批”。與此同時,外部代工客戶的態度也發生了質變:過去客戶主要檢視技術資料,如今則開始詢問“能拿到多少產能?”“生產安排時間如何?”

英特爾CEO陳立武與團隊目前每週與外部客戶會面,客戶互動持續增加快速。這一轉變被市場解讀為14A商業化前景確定性增強的關鍵訊號。

英特爾已確認14A將於2027年下半年進入風險試產,2028年大規模量產快速。為配合這一節奏,英特爾已提前啟動裝置投資。辛斯納指出,半導體裝置從採購到裝機需要時間,部分資本支出現在就必須啟動。

分析指出,臺積電與三星未來數年先進製程產能已被高毛利訂單填滿,業務可見度延伸至2028至2030年,難以額外調配資源,這為英特爾的先進製程代工業務開啟了視窗快速。今年4月,特斯拉已確認其Terafab專案將採用英特爾14A工藝。

英特爾正在從“生存模式”轉向“進攻模式”快速。14A的進展標誌著其製程執行力的顯著修復,而外部客戶從觀望到行動的態度轉變,或將成為改寫全球晶圓代工競爭格局的開端。

編輯快速:芯智訊-浪客劍

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